반도체

High-k 프리커서

반도체 제조 공정의 미세화에 따라 Capacitor의 부피가 줄어들어 그에 따른 용량 감소를 극복하기 위해 High-k 물질을 사용합니다.

k : 유전상수

Silicon 프리커서

30nm 이하의 반도체 패턴 구현과 높은 Aspect ratio 극복을 위해 ALD 장비를 활용하여 정밀한 두께 조절이 가능한 실리콘 프리커서를 사용합니다. 반도체 선폭의 미세화로 인해 저항이 증가하여 반도체 성능이 저하되는 문제가 발생합니다. 반도체의 고집적화, 고속화를 위해서는 낮은 유전율을 갖는 절연물질이 필요합니다.

Electrode 및 Metal 프리커서

전극 및 확산방지막에 Ti, Ta, Ru 및 Nb 물질이 사용되거나 연구되고 있습니다. Metal배선이 미세화 되면서 공정이 변화함에 따라 재료 또한 변화가 요구되고 있습니다.